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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
総合得点
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,784.6
11.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
65
周辺 -103% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
32
読み出し速度、GB/s
4,806.8
14.0
書き込み速度、GB/秒
2,784.6
11.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
932
2660
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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