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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,784.6 left arrow 17.3
    テスト平均値
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 65
    周辺 -132% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 20.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 17.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
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Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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