RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17
    テスト平均値
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 65
    周辺 -195% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 2,784.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 2623

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
メモリRAM