RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.2
    テスト平均値
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 65
    周辺 -91% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 2,784.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 2565

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
メモリRAM