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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
総合得点
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
総合得点
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,021.5
13.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
47
周辺 -31% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
36
読み出し速度、GB/s
3,575.4
15.8
書き込み速度、GB/秒
2,021.5
13.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3027
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
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