RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 10.7
    テスト平均値
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 77
    周辺 -133% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2937

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
メモリRAM