RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 11.0
    テスト平均値
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 77
    周辺 -108% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2814

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
メモリRAM