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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
総合得点
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
総合得点
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.2
テスト平均値
考慮すべき理由
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
77
周辺 -97% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.4
2,622.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
39
読み出し速度、GB/s
3,405.2
13.2
書き込み速度、GB/秒
2,622.0
9.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
763
2489
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