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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
総合得点
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
45
77
周辺 -71% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
6.9
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.3
2,622.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
45
読み出し速度、GB/s
3,405.2
6.9
書き込み速度、GB/秒
2,622.0
6.3
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
763
1499
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0 ns
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