RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905625-030.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905625-030.A00G 8GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 10.6
    テスト平均値
Kingston 9905625-030.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 77
    周辺 -114% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2608

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
メモリRAM