RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.9
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 77
    周辺 -108% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 9.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2461

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAMの比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
メモリRAM