RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Super Talent F24SB8GH 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Super Talent F24SB8GH 8GB

Super Talent F24SB8GH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
Super Talent F24SB8GH 8GB 考慮すべき理由
Super Talent F24SB8GH 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 77
    周辺 -250% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2337

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Super Talent F24SB8GH 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
メモリRAM