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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
36
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
29
読み出し速度、GB/s
15.0
16.8
書き込み速度、GB/秒
10.3
12.6
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2816
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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