Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

総合得点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

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Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 36

周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19.8 15

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.8 10.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 17000

周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

36 26
読み出し速度、GB/s

15.0 19.8
書き込み速度、GB/秒

10.3 16.8
メモリ帯域幅、mbps

17000 21300

Other

商品説明

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2569 4012

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

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