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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
36
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
29
読み出し速度、GB/s
15.0
16.6
書き込み速度、GB/秒
10.3
14.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
3490
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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