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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
36
周辺 -20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
30
読み出し速度、GB/s
15.0
17.9
書き込み速度、GB/秒
10.3
13.3
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
3226
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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