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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
52
周辺 31% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
10.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
20.5
15
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
52
読み出し速度、GB/s
15.0
20.5
書き込み速度、GB/秒
10.3
10.1
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2472
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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