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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
36
周辺 -57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.2
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
23
読み出し速度、GB/s
15.0
17.2
書き込み速度、GB/秒
10.3
13.1
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2989
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Frequency (Mhz) *
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