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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
6.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
36
周辺 -29% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
28
読み出し速度、GB/s
15.0
13.7
書き込み速度、GB/秒
10.3
6.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2312
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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