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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
36
周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
26
読み出し速度、GB/s
15.0
15.6
書き込み速度、GB/秒
10.3
13.2
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2783
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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