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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
56
周辺 36% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15
9.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
7.2
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
56
読み出し速度、GB/s
15.0
9.5
書き込み速度、GB/秒
10.3
7.2
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
2138
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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