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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

総合得点
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 66
    周辺 45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 7.0
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 7.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 7.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2569 left arrow 1862

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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