RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 40
    周辺 10% 低遅延
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 10.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2569 left arrow 2100

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB RAMの比較

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較