Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

総合得点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

33 36

周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.6 16

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 17000

周辺 1.51% 高帯域

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

考慮すべき理由
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 12.0

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

33 36
読み出し速度、GB/s

17.6 16.0
書き込み速度、GB/秒

12.0 13.2
メモリ帯域幅、mbps

25600 17000

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2910 3313

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston 9965667-001.A00G 16GB

Kingston 9965667-001.A00G 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB