Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

総合得点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 21300

周辺 1.2% 高帯域

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 33

周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

20.5 17.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.5 12.0

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

33 32
読み出し速度、GB/s

17.6 20.5
書き込み速度、GB/秒

12.0 14.5
メモリ帯域幅、mbps

25600 21300

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2910 3379

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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Kingston K000MD44U 4GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB

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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

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