RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB 考慮すべき理由
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 33
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 17.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 3330

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
メモリRAM
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
メモリRAM