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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
16.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
33
周辺 -22% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
27
読み出し速度、GB/s
17.6
16.5
書き込み速度、GB/秒
12.0
13.1
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
3061
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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