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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
39
周辺 15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
39
読み出し速度、GB/s
17.6
15.7
書き込み速度、GB/秒
12.0
12.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
2958
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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