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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
33
周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.6
17.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
32
読み出し速度、GB/s
17.6
21.6
書き込み速度、GB/秒
12.0
15.5
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
3684
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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