RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KY7N41-MIE 8GB

Kingston KY7N41-MIE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 16.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
Kingston KY7N41-MIE 8GB 考慮すべき理由
Kingston KY7N41-MIE 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 2948

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Kingston KY7N41-MIE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
メモリRAM