RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 37
    周辺 11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 11.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 2387

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
メモリRAM