RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 90
    周辺 63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 15.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 90
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 1743

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
メモリRAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
メモリRAM