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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

総合得点
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 41
    周辺 -64% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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