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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

総合得点
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

総合得点
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Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 42
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 3087

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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