Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

総合得点

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

考慮すべき理由
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 37

周辺 -23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.8 13

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.8 7.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

37 30
読み出し速度、GB/s

13.0 16.8
書き込み速度、GB/秒

7.7 13.8
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2422 3258

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N