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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

総合得点
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

総合得点
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB 考慮すべき理由
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 23
    周辺 -21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 2845

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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Kllisre 0000 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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