RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 26
    周辺 12% 低遅延
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 2384

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAMの比較

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
メモリRAM