RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
バグを報告する
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 23
    周辺 -5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 2623

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAMの比較

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM