RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 28
    周辺 18% 低遅延
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 16.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 3634

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAMの比較

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
メモリRAM
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM