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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB

総合得点
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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB

総合得点
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Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
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Kingston HX316C10F/8 8GB 考慮すべき理由
Kingston HX316C10F/8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 41
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 8.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    13.6 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2229 left arrow 2585

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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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メモリRAM
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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