Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

総合得点

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

総合得点

Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

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Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

20 41

周辺 -105% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

20.3 14.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.3 8.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

41 20
読み出し速度、GB/s

14.1 20.3
書き込み速度、GB/秒

8.2 16.3
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2240 3708

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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