Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

総合得点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

バグを報告する

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

考慮すべき理由
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

33 37

周辺 -12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.9 13.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.6 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

37 33
読み出し速度、GB/s

13.2 15.9
書き込み速度、GB/秒

8.4 12.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2143 2817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB