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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston K821PJ-MIH 16GB

総合得点
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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Kingston K821PJ-MIH 16GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston K821PJ-MIH 16GB 考慮すべき理由
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 37
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2792

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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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