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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

総合得点
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 37
    周辺 -6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2927

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Kingston 9905744-011.A00G 32GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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