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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比較する
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
総合得点
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
37
周辺 -61% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.5
13.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
23
読み出し速度、GB/s
13.2
14.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2143
2361
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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