Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

総合得点

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

総合得点

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

バグを報告する

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

考慮すべき理由
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 41

周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.9 13.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.6 8.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

41 29
読み出し速度、GB/s

13.3 17.9
書き込み速度、GB/秒

8.3 14.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2176 3618

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

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Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

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Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

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