RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 86
    周辺 52% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 6.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 86
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 6.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2176 left arrow 1469

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM