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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

総合得点
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB 考慮すべき理由
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 37
    周辺 -95% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 14.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    14.6 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2409 left arrow 3165

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