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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

総合得点
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 43
    周辺 14% 低遅延
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 14.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    14.6 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2409 left arrow 2864

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