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Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
総合得点
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
13
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
38
周辺 -46% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
8.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
26
読み出し速度、GB/s
13.7
13.0
書き込み速度、GB/秒
8.5
8.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1865
1893
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-029.A00G 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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